전기전자 20

중앙처리장치와 그래픽처리장치의 뜻 및 차이점.

중앙처리장치란? 중앙 처리 장치는 컴퓨터 프로그램의 명령 수행을 담당하는 컴퓨터 시스템의 기본 구성 요소이다. 컴퓨터의 기본 산술, 논리 및 입/출력 작업을 모두 수행하므로 종종 컴퓨터의 "두뇌"라고 한다. 중앙처리장치는 제어 장치, 산술 논리 장치 및 레지스터를 비롯한 여러 구성 요소로 구성된다. 제어 장치는 메모리에서 명령을 가져와 실행하는 반면 산술 논리 장치는 데이터에 대한 수학적 및 논리적 연산을 수행한다. 중앙처리장치는 버스를 통해 메모리 및 입/출력 장치와 같은 컴퓨터 시스템의 다른 구성 요소와 통신한다. 중앙처리장치가 명령을 실행할 수 있는 속도는 클록 주기로 측정되며 최신 중앙처리장치는 일반적으로 기가헤르츠 범위의 클록 속도를 가진다. 컴퓨터의 성능을 향상시키기 위해 중앙처리장치에는 종종..

전기전자 2023.05.14

물리학 단위 파워와 에너지의 뜻 및 차이점.

단위 파워의 뜻 전력은 일이 완료되거나 에너지가 전달되는 속도를 측정하는 물리량이다. 국제표준단위에서 전력의 단위는 와트이며 초당 1줄의 작업으로 정의된다. 1와트의 전력은 초당 1줄의 에너지와 같다. 이는 장치의 정격 전력이 100와트인 경우 초당 100줄의 에너지를 전송할 수 있음을 의미한다. 전력은 다음 방정식을 사용하여 계산할 수 있다. 전력 = 작업 / 시간 또는 전력 = 힘 x 속도. 첫 번째 방정식에서 일은 전달된 에너지의 양이고 시간은 일이 수행되는 기간이다. 두 번째 방정식에서 힘은 물체를 움직이는 데 필요한 에너지의 양이고 속도는 물체가 움직이는 속도이다. 전력은 물리학 및 공학에서 중요한 개념이며 엔진의 전력 출력 계산에서 건물의 에너지 요구 사항 결정에 이르기까지 광범위한 응용 분야..

전기전자 2023.05.11

메모리 반도체의 뜻 및 종류

메모리 반도체의 뜻 메모리 칩이라고도 하는 메모리 반도체는 디지털 데이터를 저장하는 전자 부품이다. 실리콘과 같은 반도체 재료로 만들어지며 1과 0의 형태로 데이터를 저장할 수 있는 다수의 메모리 셀로 구성된다. 메모리반도체는 컴퓨터, 스마트폰, 디지털카메라, 게임기 등 다양한 전자기기에 사용된다. 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리의 두 가지 주요 유형으로 분류할 수 있다. DRAM(Dynamic Random Access Memory) 및 SRAM(Static Random Access Memory)과 같은 휘발성 메모리는 저장된 데이터를 유지하기 위해 전원이 필요하다. 전원이 꺼지면 데이터가 손실된다. 휘발성 메모리는 컴퓨터의 중앙 처리 장치(CPU)에서 능동적으로 처리 중인 데이터의 임시 저장소로 사용된..

전기전자 2023.05.09

p형 반도체와 n형 반도체의 뜻 및 pn 접합

p형 반도체 뜻 P형 반도체는 결정 격자에 과도한 양전하 "정공"이 있는 물질을 생성하기 위해 불순물로 도핑된 일종의 반도체 물질이다. "p형"이라는 용어는 이러한 물질이 음전하를 띤 전자가 과도하게 많은 n형 반도체와 다른 양전하 캐리어 농도를 갖는다는 사실에서 비롯된다. P형 반도체는 일반적으로 실리콘과 같은 순수한 반도체 물질에 붕소나 알루미늄과 같은 주기율표 Ⅲ족의 불순물 원자를 소량 첨가하여 만든다. 이러한 불순물 원자는 호스트 반도체 물질보다 원자가 전자가 하나 적기 때문에 결정 격자에서 누락된 전자가 있는 "홀"을 생성한다. 이러한 정공은 n형 반도체에서 전자가 음전하 캐리어로 작용하는 것과 유사하게 양전하 캐리어로 작용할 수 있다. 이러한 불순물의 도입은 반도체 재료의 전기적 특성을 변경하..

전기전자 2023.05.08

3-5족 반도체의 뜻 및 장점

3-5족 반도체의 뜻 3-5족 반도체는 주기율표의 3족과 5족 원소를 포함하는 화합물로 구성된 물질이다. 이러한 재료는 전자, 광전자 및 광전지와 같은 다양한 응용 분야에서 유용하게 만드는 고유한 전자 및 광학 특성을 가지고 있다. 가장 일반적인 3-5 반도체 화합물은 갈륨 비소(GaAs), 인듐 인화물(InP) 및 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs)이다. 이 소재는 실리콘보다 전자 이동도와 포화 속도가 높아 고속 응용 분야에 이상적이다. 3-5 반도체의 주요 장점 중 하나는 빛을 효율적으로 방출하는 능력이다. 이러한 특성 덕분에 발광 다이오드(LED), 레이저 및 기타 광전자 장치에 사용하기에 이상적이다. GaAs 및 InP는 LED 및 레이저 다이오드 생산에 일반적으로 사용되는 반면 AlGaAs는 고출..

전기전자 2023.05.08

CMOS, NMOS, PMOS의 뜻 및 차이점

CMOS의 뜻 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)는 매우 낮은 전력을 소비하는 집적 회로(IC)를 제조하는 데 사용되는 기술이다. NMOS(N-type Metal-Oxide-Semiconductor) 및 PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor) 트랜지스터를 모두 사용하여 단일 칩에 디지털 논리 게이트 및 기타 전자 부품을 생성하는 일종의 반도체 공정 기술이다. CMOS 프로세스에서 NMOS 및 PMOS 트랜지스터는 보완적인 방식으로 배열된다. 즉, 원하는 논리 기능을 달성하기 위해 함께 작동한다. 하나의 트랜지스터가 켜지면 다른 트랜지스터가 꺼지므로 저전력 작동이 가능하다. 스위칭하지 않을 때도 전력을 소모하는 TTL(Transi..

전기전자 2023.05.06

BEOL와 FEOL 뜻 및 차이점

BEOL 뜻 BEOL은 Back-End-of-Line의 약자로, FEOL(Front-End-of-Line) 공정이 완료된 후 칩 생산을 완료하기 위해 반도체 산업에서 사용되는 일련의 제조 공정을 말한다. BEOL 프로세스에는 칩의 다양한 트랜지스터 및 기타 구성 요소를 연결하기 위한 금속 상호 연결, 비아 및 유전체 층의 생성이 포함된다. 이러한 상호 연결은 회로의 다른 부분 간에 전기 신호를 전송할 수 있으므로 칩의 적절한 기능에 필수적이다. BEOL 프로세스에는 일반적으로 CVD(화학 기상 증착) 및 PVD(물리 기상 증착) 시스템과 같은 특수 장비와 리소그래피 및 에칭 도구의 사용이 포함된다. BEOL 처리에 사용되는 특정 기술과 재료는 칩의 설계와 애플리케이션의 요구 사항에 따라 달라질 수 있다...

전기전자 2023.05.05

맴리스터의 뜻 및 응용분야

맴리스터의 뜻 멤리스터는 "멤리스턴스"라는 고유한 특성을 가진 전자 장치의 일종으로, 흐르는 전류의 양과 방향에 따라 전기 저항을 변경할 수 있다. 이것은 고급 전자 회로와 인공 신경망을 만들기 위한 기본 구성 요소가 된다. 멤리스터는 1971년 레온 추아(Leon Chua)에 의해 저항, 커패시터, 인덕터와 함께 네 번째 기본 회로 소자로 처음 제안되었다. 그러나 2008년이 되어서야 HP 연구소는 이산화티타늄 박막을 기반으로 하는 최초의 작동 멤리스터를 발표했다. 멤리스터의 기본 작동은 재료의 저항을 변경하는 장치 내에서 하전된 이온의 이동을 포함한다. 멤리스터에 전압을 가하면 이온이 소자의 한 쪽에서 다른 쪽으로 이동하여 전도성 경로를 생성한다. 전류 흐름의 방향과 크기는 저항 변화의 양을 결정하고..

전기전자 2023.05.04

뉴로모픽 컴퓨팅, 뉴로모픽 소자의 뜻

뉴로모픽 컴퓨팅 뉴로모픽 컴퓨팅은 인간 두뇌의 구조와 기능에서 영감을 얻은 컴퓨팅 유형입니다. 뉴로모픽 컴퓨팅의 목표는 인간의 두뇌와 유사한 방식으로 정보를 처리할 수 있는 컴퓨터 시스템을 만드는 것입니다. 뉴로모픽 컴퓨팅의 핵심 기능 중 하나는 뇌의 뉴런이 정보를 처리하는 방식을 시뮬레이션하도록 설계된 계산 모델인 인공 신경망을 사용하는 것입니다. 이러한 신경망은 신호를 보내고 받을 수 있는 상호 연결된 노드 또는 "뉴런"으로 구성되며 이러한 신호의 강도는 "학습"이라는 프로세스를 통해 조정할 수 있습니다. 뉴로모픽 컴퓨팅은 또한 뇌 기능의 뉴런과 시냅스 방식을 모방하도록 설계된 뉴로모픽 칩과 같은 특수 하드웨어를 사용합니다. 이러한 칩은 연산을 병렬로 수행할 수 있으므로 기존 컴퓨팅 시스템보다 훨씬 ..

전기전자 2023.05.03

전계효과 트랜지스터, Field Effect Transistor (FET)의 정의와 종류

전계효과 트랜지스터 Field Effect Transistor의 정의 전계 효과 트랜지스터(FET)는 전기장을 사용하여 반도체 재료를 통과하는 전류 흐름을 제어하는 트랜지스터 유형입니다. FET에는 소스, 게이트 및 드레인의 세 가지 단자가 있습니다. 게이트는 전자의 흐름에 대한 장벽 역할을 하는 얇은 절연층에 의해 다른 두 단자와 분리됩니다. 게이트에 전압이 가해지면 소스와 드레인 사이의 전류 흐름을 제어하는 전기장이 생성됩니다. FET 유형에 따라 게이트 전압은 반도체 재료의 전하 캐리어를 끌어당기거나 밀어내어 전류를 흐르게 하거나 차단할 수 있습니다. FET에는 접합 FET(JFET)와 금속 산화물 반도체 FET(MOSFET)의 두 가지 주요 유형이 있습니다. JFET는 PN 접합을 사용하여 게이트..

전기전자 2023.05.02